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Siデバイス・プロセス技術の開発史-極限追及と実用化-

Development of Silicon Device and Process Technologies
- History of Challenge to Ultimate Structures and Applications to Communication Networks

Siデバイス・プロセス技術の開発史 -極限追及と実用化-
単行本
410ページ
著、編集
通研半導体技術史(装置編)
編集委員会
出版社
サイバー出版センター; A4版
ISBN-10
4908520127
発売日
2017/3/27
内容紹介
本書は、おおよそ1965年から2000年に至る約35年間のNTT研究所におけるシリコン(Si)半導体のデバイス・プロセス技術の研究開発史をまとめたものである。第1章ではSi半導体技術の開発経緯の概要、第2章ではバイポーラおよびMOS形Siデバイスの超高速化、高集積化、低エネルギー化の研究実用化の主な歴史、第3章はデバイス製造の基盤となるリソグラフィなどの11種類の主要なプロセス技術を選び、その開発の歴史、第4章はSiデバイス・プロセス技術に関する外部への技術移転と外部機関から受けた表彰のまとめから構成した。本書に記述された具体例な苦闘の歴史が、技術開発に奮闘しておられる研究者、技術者、研究管理者、これから技術開発を担うことを目指しておられる学生の皆さんに、何らかのヒントやアイデアを得る上で役に立つものと期待している。
入手先

半導体加工装置の開発史-半導体の微細化と製造のシステム化への挑戦-

Development of semiconductor fabrication equipment

半導体加工装置の開発史 -半導体の微細化と製造のシステム化への挑戦-
単行本
312ページ
著、編集
通研半導体技術史(装置編)編集委員会
出版社
サイバー出版センター; A4版
ISBN-10
4908520038
発売日
2016/3/30
内容紹介
本書は、NTT研究所の前身である電電公社電気通信研究所(通研)における半導体加工装置研究についての技術史である。主として1975年以降の半導体加工装置と関連材料および生産管理システム技術開発について述べている。開発のねらい、目標値、主な開発技術とその結果等を、根底の考え方を中心に記述している。また、開発途上でも大きな技術的判断ミスとその対策例も可能な限り含めている。これら技術開発における基本的な考え方は、これから技術開発を担う若い研究者や学生にとって、研究開発の一つのグッドプラクティスとして役立つものとなるであろう。また、通研での半導体技術開発の進め方を他の国内外の代表的研究機関と比較検討した結果も記述してあり、研究開発プロジェクト運営の参考にもなるであろう。
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