統計的機械学習手法に基づいた予測モデルによって定量化されたトライアルアンドエラーであるベイズ最適化の手法を取り入れて、強磁性金属SrRuO3の分子線エピタキシー(MBE)成膜に対する成長条件最適化を行い、非常に高い結晶性、高い強磁性転移温度、高い磁気異方性を持つSrRuO3薄膜の作製に成功しました。これは、世界初の機械学習を援用したMBEの実装例になります。

Y. K. Wakabayashi*, et al.
APL Materials 7, 101114 (2019).