平山祥郎
昭和53年東京大学工学部電子工学科卒業。昭和58年同大学院工学系研究科電子工学専攻博士課程修了（工学博士）。同年日本電信電話公社（現在NTT）に入社。以来、集束イオンビームによる半導体微細構造の作製、半導体メゾスコピック構造の輸送特性、高移動度半導体のバリスティック伝導特性、半導体薄膜構造・ナノ構造の輸送特性の研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所量子物性研究部量子電子物性研究グループ グループリーダ。平成2?3年マックスプランク固体研究所（ドイツ、シュトットガルト）客員研究員。
平成10年からNEDO国際共同研究チーム(NTDP-98)研究代表者、平成11年からCREST相関エレクトロニクス研究プロジェクト研究代表者。Japanese Journal of Applied Physics編集委員。応用物理学会、日本物理学会、IEEE会員。
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