10G-EPONバジェット拡大技術

これまでの10G-EPONシステムでは、図１に示すように、OLT配下に光セレクタを挿入することで、PONパッケージのN:1冗長構成を実現しています。本機能により、ある通常PONパッケージが故障した際に冗長用のPONパッケージ側に経路を切り替えることで、通信を維持することが可能です。
一方、この光セレクタの透過損失により光パワーが減衰し、収容可能なお客様が限られるという課題がありました。この課題を解決するため、AS研では、従来よりも高出力・高感度なOLT光トランシーバの実現に取り組みました。

図1　10G-EPONシステムにおけるバジェット制限

開発したOLTトランシーバ内の光送受信のフロントエンドを担うトリプレクサ（Triplexer）構造を図2に示します。10G送信部（10G-TOSA）には、SOAを集積したEA-DFBレーザ（AXEL)を採用することで、高出力化を達成しました。一方受信側（ROSA）は、TIAとAPDの回路チューニング、およびTIAに最適に適合するAPDを選択することによって、受信性能を向上させました。また、NTTの設計技術を活かし1G-Txを小型化することで、GE側のバジェットを維持したまま、トランシーバサイズをOLTに実装可能なXFPサイズにまで小型化しました。本技術により、GE側のバジェットに影響無く10G-OLT~10G-ONU間ロスバジェットを従来よりも高バジェット化でき、より遠方のお客様にまで10Gシステムを展開可能となりました。

 

 

 

図2　光トランシーバ内のトリプレクサ構造

 

10G-EPONシステムの伝送路バジェット拡大を実現する、従来よりも高出力・高感度なOLT用光トランシーバを開発しました。これにより、より長距離のお客様に10G-EPON信号を届けることが可能となりました。今後は実用化開発に向けた検討を継続していきます。